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freiberg弗莱贝格MDpicts微瞬态谱仪
微波探测光诱导电流瞬态谱仪对于半导体材料少子寿命,电学参数和界面陷阱等进行非接触和非破坏性测试。硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层
半导体材料的基础研究和开发
配置选项
灵敏度:对半导体材料电学缺陷有高灵敏度
温度范围:液氮(77K)到500K,可选:液氦(4K)或更高的温度
衰减常数范围:20ns到几十ms
玷污检测:电学陷阱基本性能确定:
激活能和陷阱的俘获截面,受温度和注入水平影响的少子寿命参数等
重复性:>99.5%,测试时间< 6 0 分 钟 ,液氮消耗:2L/run
灵活性: 从365nm到1480nm,根据不同材料选择不同波长的激发光源
辅助功能:基于IP的系统,允许在任何地方进行远程操作和技术支持
半导体材料性能研究和开发
+ 半导体材料质量控制
+ 缺陷种类确定:激活能,俘获截面等参数
freiberg弗莱贝格MDpicts微瞬态谱仪
测试原理
MDpicts采用先进的光诱导电流瞬态谱测试技术(PICTS)是非接触测试并具备更高的灵敏度,在各种半导体材料研究中开辟了新的应用。这个技术对半导体材料中的电学缺陷行为,可以提供与D L T S 技术相媲美的灵敏度,并给出载流子陷阱在材料中的主要复合中心。